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DECOUPLING CAPACITOR, WAFER STACK PACKAGE INCLUDING THE DECOUPLING CAPACITOR, AND METHOD OF FABRICATING THE WAFER STACK PACKAGE

机译:去耦电容器,包括去耦电容器的晶片堆叠包装以及制造晶片堆叠包装的方法

摘要

A decoupling capacitor, a wafer stack package including the decoupling capacitor, and a method of fabricating the wafer stack package are provided. The decoupling capacitor may include a first electrode formed on an upper surface of a first wafer, a second electrode formed on a lower surface of a second wafer, and an adhesive material having a high dielectric constant and combining the first wafer with the second wafer. In the decoupling capacitor the first and second electrodes operate as two electrodes of the decoupling capacitor, and the adhesive material operates as a dielectric of the decoupling capacitor.
机译:提供了一种去耦电容器,包括该去耦电容器的晶片堆叠封装以及制造该晶片堆叠封装的方法。去耦电容器可以包括:第一电极,形成在第一晶片的上表面上;第二电极,形成在第二晶片的下表面上;以及粘合材料,该粘合材料具有高介电常数并且将第一晶片和第二晶片结合。在去耦电容器中,第一电极和第二电极用作去耦电容器的两个电极,并且粘合材料用作去耦电容器的电介质。

著录项

  • 公开/公告号US2008116558A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUN-WON KANG;SEUNG-DUK BAEK;

    申请/专利号US20070935953

  • 发明设计人 SEUNG-DUK BAEK;SUN-WON KANG;

    申请日2007-11-06

  • 分类号H01L23/02;H01G4/06;H01L21/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:15:36

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