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Low voltage superjunction MOSFET

机译：低压超结MOSFET

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A power semiconductor switching device such as a power MOSFET that includes breakdown voltage enhancement regions formed by self-alignment.

机译：功率半导体开关器件，例如功率MOSFET，其包括通过自对准形成的击穿电压增强区域。

著录项

公开/公告号US7410851B2

专利类型
公开/公告日2008-08-12

原文格式PDF
申请/专利权人 TIMOTHY HENSON;JIANJUN CAO;
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申请/专利号US20030746334
发明设计人 JIANJUN CAO;TIMOTHY HENSON;
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申请日2003-12-23
分类号H01L21/336;
国家 US
入库时间 2022-08-21 20:12:43

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