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Sacrificial oxide layer which enables spacer over-etch in tri-gate architectures

机译:牺牲氧化物层,可在三栅架构中实现隔离层的过度蚀刻

摘要

Embodiments of methods and apparatus for a sacrificial oxide layer which enables spacer over-etch in multi-gate architectures are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
机译:本文大体描述了用于牺牲氧化物层的方法和设备的实施例,该牺牲氧化物层使得能够在多栅极架构中进行间隔物过度蚀刻。可以描述和要求保护其他实施例。

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