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Method of making a haze free, lead rich PZT film

机译：制作无雾，富铅PZT薄膜的方法

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摘要

An embodiment of the invention is a method of fabricating a haze free, phase pure, PZT layer, 3, where a lead rich PZT film, 102, is formed over a phase pure stoichiometric PZT film, 101.

机译：本发明的一个实施方案是一种制造无雾，纯相的PZT层 3 的方法，其中在相上形成富铅的PZT膜 102 纯化学计量的PZT膜， 101。 展开▼

著录项

公开/公告号US7361949B2

专利类型

公开/公告日2008-04-22

原文格式PDF

申请/专利权人 SANJEEV AGGARWAL;KELLY J. TAYLOR;
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申请/专利号US20050046568

发明设计人 KELLY J. TAYLOR;SANJEEV AGGARWAL;
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申请日2005-01-28

分类号H01L29/76;

国家 US

入库时间 2022-08-21 20:10:40

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