首页> 外国专利> diodenstruktur, especially for cial future of thinfilm solar cells

diodenstruktur, especially for cial future of thinfilm solar cells

机译:二极管结构,特别是对于薄膜太阳能电池的未来发展

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号AT407455T

    专利类型

  • 公开/公告日2008-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHELL ERNEUERBARE ENERGIEN GMBH;

    申请/专利号AT20000972800T

  • 发明设计人 KARG FRANZ;

    申请日2000-10-18

  • 分类号H01L31/032;H01L31/04;H01L31/0336;H01L31/0749;

  • 国家 AT

  • 入库时间 2022-08-21 20:04:46

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号