发光二极管结构制作方法及发光二极管结构

摘要

本发明提供了一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构，涉及发光二极管结构技术领域。通过刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体层，露出N型半导体层，然后制作反射层，构成光线从N面出射的倒装结构。通过设置有大面积N型、P型焊接层金属，且焊接层通过多组电流孔与叉指型的电极条进行电流扩展，使得电流在整个芯片的发光区域均匀分布；叉指型电极条上的电流通过密集分布的电极接触孔再次在更小的区域均匀分布。另外P型半导体上制作的透明导电层及反射层金属也有利于P型区域的电流扩散。该结构具有提高倒装结构发光二极管结构器件的电流分布均匀性，降低串联电阻，提高散热能力，最终提高器件光电热性能的优势。