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NANO EMISSION DEVICES, INTEGRATED CIRCUITS USING NANO EMISSION DEVICES, AND RELATED METHODS

机译:纳米排放设备,使用纳米排放设备的集成电路及相关方法

摘要

Embodiments of the present invention are generally directed towards nano emission devices. Nano emission devices can include, for example, diodes (1200), N-type transistors (100, 200, 250, 500, 600, 900), P-type transistors (250, 300, 500, 600, 800, 900, 1500), and combined N- and P- type nano emission transistors (400). Nano emission devices can include multiple emitters, collectors, gates and the like to form more complex nano emission devices (1600, 1900, 2200). Nano emission devices may be connected together to form various circuits, including for example, logic gates (1402, 1404, 1408), memory cells (1406), amplifiers, and the like. Nano emission devices may be fabricated in two- and three-dimensional integrated circuits (1700, 2300, 2400). Methods of fabricating (700, 750, 1100, 2500, 2600) nano emission devices and electronic circuits are also described.
机译:本发明的实施例大体上针对纳米发射装置。纳米发射装置可包括例如二极管(1200),N型晶体管(100、200、250、500、600、900),P型晶体管(250、300、500、600、800、900、1500) ),以及组合的N型和P型纳米发射晶体管(400)。纳米发射装置可以包括多个发射器,集电极,栅极等以形成更复杂的纳米发射装置(1600、1900、2200)。纳米发射器件可以连接在一起以形成各种电路,包括例如逻辑门(1402、1404、1408),存储单元(1406),放大器等。可以在二维和三维集成电路(1700、2300、2400)中制造纳米发射装置。还描述了制造(700、750、1100、2500、2600)纳米发射器件和电子电路的方法。

著录项

  • 公开/公告号WO2008051300A2

    专利类型

  • 公开/公告日2008-05-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KANZEN INC.;SUMMERS DAVID;BROWN PHIL;

    申请/专利号WO2007US09829

  • 发明设计人 BROWN PHIL;SUMMERS DAVID;

    申请日2007-04-19

  • 分类号H01J1/30;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 19:59:41

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