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METHOD, SYSTEM, AND APPARATUS FOR DOPING AND FOR MULTI-CHAMBER HIGH-THROUGHPUT SOLID-PHASE EPITAXY DEPOSITION PROCESS

机译:用于多腔高通量固相表位沉积工艺的方法,系统和装置

摘要

The current application deals with the doping and multi-chamber method and apparatus for the growth of material, directed toward Solid Phase Epitaxy (SPE) process. We will examine different variations and features of this method and process. The advantages of this method are the high throughput and the reduced operational cost of the production for semiconductor material and devices, such as III-V material (e.g. GaAs) and solar cell devices. It can be applied to many systems and devices/ material.
机译:当前的应用涉及用于材料生长的掺杂和多室方法和设备,其针对固相外延(SPE)工艺。我们将研究此方法和过程的不同变化和特征。该方法的优点是半导体材料和器件(例如,III-V族材料(例如,GaAs)和太阳能电池器件)的生产的高生产率和降低的生产成本。它可以应用于许多系统和设备/材料。

著录项

  • 公开/公告号WO2008134459A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEPEHRY-FARD FAREED;

    申请/专利号WO2008US61477

  • 发明设计人 SEPEHRY-FARD FAREED;

    申请日2008-04-25

  • 分类号C30B23/00;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 19:56:30

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