公开/公告号CN207276711U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 君泰创新(北京)科技有限公司;
申请/专利号CN201721388340.1
发明设计人 马峥;
申请日2017-10-25
分类号C23C16/52(20060101);C23C16/513(20060101);
代理机构11252 北京维澳专利代理有限公司;
代理人赵景平;张春雨
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号院66号楼7层805
入库时间 2022-08-22 04:44:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-27
授权
授权
机译: 真空沉积腔室的等离子体刻蚀原位清洗工艺-激发气体分别进行等离子体放电激发,并使活化的蚀刻气体进入腔室
机译: 使用远程等离子体的薄膜沉积工艺和多级腔室清洗工艺
机译: 等离子刻蚀设备的工艺腔室,用于稳定地收集工艺腔室中的等离子体以进行晶片处理并保持晶片的均匀性