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ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TANTALUM-CONTAINING FILMS USING SURFACE-ACTIVATING AGENTS AND NOVEL TANTALUM COMPLEXES

机译：使用表面活化剂和新型钽络合物的含钽薄膜原子层沉积

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摘要

Atomic layer deposition processes for the formation of tantalum-containing films on surfaces are provided. Also provided are novel tantalum complexes that can be used as tantalum precursors in the disclosed deposition processes.

机译：提供了用于在表面上形成含钽膜的原子层沉积工艺。还提供了新颖的钽络合物，其可以在所公开的沉积工艺中用作钽前体。

著录项

公开/公告号EP1913173A2

专利类型
公开/公告日2008-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人 E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY;
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申请/专利号EP20060789513
发明设计人 THOMPSON JEFFERY SCOTT;RADZEWICH CATHERINE E.;
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申请日2006-08-07
分类号C23C16/455;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 19:56:09

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