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SILICON CARBIDE CONTAINING PARTICLE, PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINTERED MATERIAL, SILICON CARBIDE SINTERED MATERIAL AND FILTER

机译:含碳化硅颗粒,生产碳化硅烧结材料的工艺,碳化硅烧结材料和过滤器

摘要

A silicon carbide containing particle comprising silicon carbide, in which the silicon carbide contains at least one of 6H polymorph of silicon carbide and 15R polymorph of silicon carbide and the total content of 6H polymorph of silicon carbide and 15R polymorph of silicon carbide in the silicon carbide is 70 wt% or more; a process for producing a silicon carbide sintered material using the silicon carbide containing particle; a silicon carbide sintered material produced by using the silicon carbide containing particle; and a filter comprising the silicon carbide sintered material.
机译:包含碳化硅的含有碳化硅的颗粒,其中,所述碳化硅包含碳化硅的6H多晶型物和碳化硅的15R多晶型物中的至少一种以及碳化硅中的碳化硅的6H多晶型物和碳化硅的15R多晶型物的总含量为70重量%以上;使用含碳化硅的颗粒生产碳化硅烧结材料的方法;通过使用含碳化硅的颗粒生产的碳化硅烧结材料;过滤器包括碳化硅烧结材料。

著录项

  • 公开/公告号KR20070112396A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IBIDEN CO. LTD.;

    申请/专利号KR20077022265

  • 发明设计人 KOYAMA TATSUYA;TAKAMATSU SHOJI;

    申请日2007-09-28

  • 分类号C01B31/36;C04B35/626;B01D39/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:54:49

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