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含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器

摘要

本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器,所述含碳化硅颗粒含有碳化硅,所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅,所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量%以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法,所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的,所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。

著录项

  • 公开/公告号CN101146742B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 揖斐电株式会社;

    申请/专利号CN200580049218.5

  • 发明设计人 神山达也;高松昇司;

    申请日2005-09-14

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁香兰

  • 地址 日本岐阜县

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-01

    授权

    授权

  • 2008-05-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-19

    公开

    公开

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