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公开/公告号CN101146742B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-01
原文格式PDF
申请/专利权人 揖斐电株式会社;
申请/专利号CN200580049218.5
发明设计人 神山达也;高松昇司;
申请日2005-09-14
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人丁香兰
地址 日本岐阜县
入库时间 2022-08-23 09:14:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-05-01
授权
2008-05-14
实质审查的生效
2008-03-19
公开
机译: 含碳化硅的颗粒,碳化硅烧结体的制造方法,碳化硅烧结体和过滤器
机译: 含碳化硅颗粒,制造基于碳化硅的烧结体的方法,基于碳化硅的烧结体和过滤器
机译:用β-碳化硅纳米粉粉碳化硅和烧结添加剂加工火花等离子体烧结碳化硅致密化,微观结构和力学性能的影响
机译:压力和温度对β-碳化硅纳米粉和烧结助剂处理的火花等离子体烧结碳化硅的致密化,微观结构和力学性能的影响
机译:通过火花等离子体烧结加入碳化硅陶瓷的碳化硅陶瓷制造及其机械性能
机译:使用等离子体压力压实制造纳米晶碳化硅碳化碳化硅烧结研究的Taguchi方法
机译:烧结时间和烧结助剂组成对火花等离子体烧结碳化硅的核-边组织和材料性能的影响。
机译:通过火花等离子体烧结法烧结碳化硅复合材料微观结构和机械性能的Ti3C2Tx mx12和表面改性Ti3C2Tx Mx的影响
机译:通过火花等离子体烧结制造通过液相烧结制造的纳米结构碳化硅陶瓷
机译:碳化硅烧结体由含有硼,硅和碳质添加剂的碳化硅粉末制成