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Increasing the reliability of copper-based specifies metallization structures in a microstructural element, by applying of aluminum nitride

机译:通过应用氮化铝提高微结构元素中铜基特定金属化结构的可靠性

摘要

By producing a greater than 1: 1 - by a delimiting the interfacial properties of a process can be significantly improved copper-based metallization layer, while nevertheless the entire permittivity of the layer stack remains low.
机译:通过产生大于1:1的界限来限制工艺的界面性质,可以显着改善铜基金属化层,而层堆叠的整个介电常数仍然很低。

著录项

  • 公开/公告号DE102007004867A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20071004867

  • 发明设计人

    申请日2007-01-31

  • 分类号H01L21/768;H01L23/52;H01L21/321;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:49:24

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