要解决的问题:当以单片配方制造并形成发光体时,提供一种可以高浓度分散的纳米晶体-金属氧化物配合物,同时保持纳米晶体的特性以提高稳定性。发光二极管层,并提供具有优异的发光效率和稳定性的发光二极管元件,减少了用于封装发光二极管元件的聚合树脂的化学损伤。
解决方案:发光二极管元件使用纳米晶体-金属氧化物复合物,该纳米晶体-金属氧化物复合物包含设置在发光二极管芯片和发光二极管芯片的发光表面上的纳米晶体-金属氧化物复合物整料。还提供了该元件的制造方法。
版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2008283180A
专利类型
公开/公告日2008-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
申请/专利号JP20080119764
申请日2008-05-01
分类号H01L33;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:42:50