Low Temperature DC Sputtering Deposition on Indium-Tin Oxide Film and Its Application to Inverted Top-emitting Organic Light-emitting Diodes

摘要

铟氧化亚锡(ITO ) 极端薄电影被 DC (直接水流) 在玻璃底层上准备有 H20 的帮助的磁控管劈啪作响技术避免潜在的表面损坏的蒸汽。电影性质被 X 光检查衍射(XRD ) 描绘技术，四点的探查方法和分光光度计。结果证明扔的 ITO 在劈啪作响期间与介绍 H2O 拍摄过程是几乎非结晶的。 100 nm ITO 电影的平均可见轻传播在85%附近，方形的抵抗力在 80 OMEGA/square.The 电影下面被用作透明阳极制作一转换有玻璃 substrate/Alq3 ( 40 nm )的结构的最高射出的器官的轻射出的二极管( IT-OLEDs ) /NPB ( 15 nm ) /CuPc ( x nm ) /IT0 阳极( 100 nm )，在 CuPc 的电影厚度被优化的地方。这 IT-OLEDs 的发光性被在 100 cd/m2 增加 0.24 Im/W 的 CuPc，和发光性效率的厚度从 25 cd/m2 改进到超过 527 cd/m2，这被发现被获得，它显示 CuPc 层的优化厚度在 15 nm 附近。