首页> 外国专利> THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING THE THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE, AND DONOR SUBSTRATE FOR LASER INDUCED THERMAL IMAGING

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING THE THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE, AND DONOR SUBSTRATE FOR LASER INDUCED THERMAL IMAGING

机译:薄膜晶体管,制造薄膜晶体管的方法,有机发光二极管显示设备,制造有机发光二极管显示设备的方法以及用于激光诱导的热成像的供体基质

摘要

A thin film transistor (TFT), a method of fabricating the TFT, an organic light emitting diode (OLED) display device, a method of fabricating the OLED display device, and a donor substrate for laser induced thermal imaging (LITI) includes interconnections formed of a mixed layer of metal nanoparticles and carbon black using a laser induced thermal imaging (LITI) technique.
机译:薄膜晶体管(TFT),制造TFT的方法,有机发光二极管(OLED)显示装置,制造OLED显示装置的方法以及用于激光诱导热成像(LITI)的施主衬底包括形成的互连。激光诱导热成像(LITI)技术制备金属纳米颗粒和炭黑的混合层。

著录项

  • 公开/公告号US2009072229A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MIN-CHUL SUH;SEONG-TAEK LEE;

    申请/专利号US20080207025

  • 发明设计人 SEONG-TAEK LEE;MIN-CHUL SUH;

    申请日2008-09-09

  • 分类号H01L35/24;H01L29/10;H01L21/00;H01L21/84;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:35:25

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