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DEEP-EUTECTIC MELT GROWTH OF NITRIDE CRYSTALS

机译：氮化物的深共熔生长

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摘要

Single-crystal materials are fabricated from a melt at temperatures below their melting points.
机译：单晶材料是由熔点低于其熔点的熔体制成的。

著录项

  • 公开/公告号US2009050050A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GLEN A. SLACK;SANDRA B. SCHUJMAN;

    申请/专利号US20080126334

  • 发明设计人 SANDRA B. SCHUJMAN;GLEN A. SLACK;

    申请日2008-05-23

  • 分类号H01B1/06;C30B9/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:33:29

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