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High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser

机译:高相干功率,二维表面发射半导体二极管阵列激光器

摘要

A semiconductor laser is formed on a semiconductor substrate with an array of laterally spaced laser device elements each including a second order distributed feedback grating bounded by distributed Bragg reflector gratings. The device elements in which the distributed feedback grating and the distributed Bragg reflector gratings are formed have a lower effective index than the index of the interelement regions and are spaced so as to form an antiguided array.
机译:在半导体衬底上形成半导体激光器,该半导体激光器具有横向间隔开的激光器器件元件的阵列,每个激光器器件元件包括由分布式布拉格反射器光栅界定的二阶分布式反馈光栅。形成有分布反馈光栅和分布布拉格反射器光栅的器件元件具有比元件间区域的折射率低的有效折射率,并且间隔开以形成反向导通阵列。

著录项

  • 公开/公告号US7457340B2

    专利类型

  • 公开/公告日2008-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DAN BOTEZ;

    申请/专利号US20050112749

  • 发明设计人 DAN BOTEZ;

    申请日2005-04-22

  • 分类号H01S5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:29:09

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