首页> 外国专利> THE USE OF B203 IN A SEMICONDUCTIVE CERAMIC BASED ON TIN OXIDE IN ORDER TO REDUCE LEAKAGE CURRENT THERIN, AND POSSIBLY TO STABILIZE ITS ELECTRICAL PROPERTIES,

THE USE OF B203 IN A SEMICONDUCTIVE CERAMIC BASED ON TIN OXIDE IN ORDER TO REDUCE LEAKAGE CURRENT THERIN, AND POSSIBLY TO STABILIZE ITS ELECTRICAL PROPERTIES,

机译:在基于氧化锡的半导电陶瓷中使用B203,以减少渗流电流,并可能稳定其电性能,

摘要

least one dopant metal oxide for decreasing the leakage current and possibly for stabilizing the electrical propert;ies of said semiconductive ceramic.
机译:至少一种掺杂剂金属氧化物,用于降低漏电流并可能用于稳定所述半导体陶瓷的电性能。

著录项

  • 公开/公告号IN2008CN05995A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN5995/CHENP/2008

  • 申请日2008-11-05

  • 分类号H01C7/112;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 19:27:14

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