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POWER OVERLAY STRUCTURE FOR MEMS DEVICES AND METHOD FOR MAKING POWER OVERLAY STRUCTURE FOR MEMS DEVICES.

机译:用于MEMS器件的功率覆盖结构以及用于制造MEMS器件的功率覆盖结构的方法。

摘要

One embodiment of the invention comprises a MEMS structure further comprising: a MEMS device (240) having a first surface with one or more contact structures (244, 245 and 246) thereon connected to functional elements of the MEMS device (240), a dielectric layer (100) overlying the first surface defining openings therein through which the contact structures (244, 245 and 246) are exposed, a patterned metallization layer (254, 255 and 256) comprising conductive material extending from the contact structures (244, 245 and 246) through the openings in the dielectric layer (100) and onto a surface of the dielectric layer and a first heat sink (190) in thermal communication with the metallization layer (254, 255 and 256).
机译:本发明的一个实施例包括一种MEMS结构,该MEMS结构还包括:具有第一表面的MEMS器件(240),该第一表面具有一个或多个连接到MEMS器件(240)的功能元件的接触结构(244、245和246)。覆盖在第一表面上的层(100)在其中限定开口,通过该开口暴露接触结构(244、245和246),包括从接触结构(244、245和246)延伸的导电材料的图案化金属化层(254、255和256)。 246)穿过介电层(100)中的开口并到达介电层和与金属化层(254、255和256)热连通的第一散热器(190)的表面上。

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