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Symposium on materials reliability in microelectronics

召开年：1998
召开地：San Francisco, CA(US)
出版时间：-

会议文集：-

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1.Analysis of failure in metallic thin-film interconnects due to stress and electromigration-induced void propagation

机译：分析金属薄膜互连中由于应力和电迁移引起的空隙传播而引起的故障
- 作者：M.Rauf Gungor;Leonard J.Gray
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
2.Channel cracking techniqeu for toughness measuremtn of brittle dielectric thin films on silicon substrates

机译：硅基衬底上脆性介电薄膜韧性测量的通道开裂技术
- 作者：Qing Ma;Joseph Xie;Sam Chao;Safaa El-Mansy;Robert McFadden;Harry Fujimoto
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
3.Copper versus magnesium as an alloying element in aluminum interconnects: effects on electromigration

机译：铜与镁作为铝互连中的合金元素：对电迁移的影响
- 作者：R.Spolenak;J.Mason;O.Kraft;E.Arzt
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
4.Critical length and resistance saturation effects in Al(Cu) interconnects

机译：Al（Cu）互连中的关键长度和电阻饱和效应
- 作者：M.Gall;J.Muller;D.Jawarani;C.Capasso;R.Hernandez;H.Kawasaki
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
5.Defect generation and diffusionmechanisms in Al and Al-Cu

机译：Al和Al-Cu中的缺陷产生和扩散机理
- 作者：C-L.Liu;X-Y.Liu;L.J.Borucki
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
6.Dependence of stress-related reliability of metallic power line on physical properties of its overlayer, chip location and package structure in memory devices

机译：金属电源线的应力相关可靠性取决于其在存储设备中的外层物理特性，芯片位置和封装结构
- 作者：Seong-Min Lee
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
7.Diffusion and electromigration of Cu in single crystal Al interconnects

机译：单晶Al互连中Cu的扩散和电迁移
- 作者：V.T.Srikar;C.V.Thompson
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
8.Effect of Ar sputtering pretreatment on the electromigration resistance in Al-Cu/TiN/Ti interconnects

机译：Ar溅射预处理对Al-Cu / TiN / Ti互连中电迁移电阻的影响
- 作者：L.P.Wang;A.Chuang;L.T.Lin;F.S.Huang;K.Perng;J.Hwang
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
9.Effect of poly-Si on electromigration behaviors and microstructure characteristics of Au metallization

机译：多晶硅对金金属电迁移行为和微观结构特征的影响
- 作者：T.Lee;B.R.York;B.Lindgren;H.Kentzinger;J.Lee;C.Christenson;C.Varker;K.Evans
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
10.Effect of thermal treatment on the hardness and fracture toughness of sputter deposited Bi-layered thin films on silicon

机译：热处理对硅上溅射沉积双层薄膜硬度和断裂韧性的影响
- 作者：M.Manoharan;B.Narayanan;G.Muralidharan
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
11.Electric field driect force in electromigration mechanism

机译：电迁移机理中的电场方向力
- 作者：A.A.Karpushin;A.N.Sorokin;M.R.Baklanov;K.Maex
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
12.Electromigation damage in aluminum alloys studied by l/f noise

机译：用l / f噪声研究铝合金的电迁移损伤
- 作者：C.A.Kruelle;E.Ochs;H.Stoll;A.Seeger;I.Bloom
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
13.Electromigration and diffusionin short Al-Ni-Cr lines

机译：短Al-Ni-Cr线中的电迁移和扩散
- 作者：L.C.Jacobs;A.H.Verbruggen;A.J.Kalkman;S.Radelaar
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
14.Electromigrationfailure kinetics in Al alloy lines: a microstructure-based constitutive equation

机译：铝合金线中的电迁移失效动力学：基于微观结构的本构方程
- 作者：S.H.Kang;J.W.Morris;C-U.Kim
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
15.Electromigration-induced drift in damascene vs. conventional interconnects: an intrinsic difference

机译：镶嵌与常规互连中电迁移引起的漂移：内在差异
- 作者：J.Proost;I.Samajdar;A.Witvrouw;K.Maex
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
16.Evolution of the electrical properties of interconnects under electromigration stress

机译：电迁移应力下互连件电性能的演变
- 作者：B.K.Jones;Yanzhong Xu;G.Trefan
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
17.Grain structure statistics in As-patterned and annealed interconnects

机译：图案化和退火互连中的晶粒结构统计
- 作者：W.Fayad;V.Andleigh;C.V.Thompson;H.J.Frost
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
18.In-situ X-ray photoemission spectromicroscopy of electromigration in patterned Al-Cu lines with AMXIMUM

机译：使用AMXIMUM在图案化Al-Cu系中电迁移的原位X射线光电子能谱
- 作者：H.H.Solak;G.F.Lorusso;S.Singh;F.Cerrina;J.H.Underwood;P.Batson
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
19.Investigations of electromigration failure by electrical measurement and scanning probe microscopy with additional simulation

机译：通过电学测量和扫描探针显微镜以及附加仿真研究电迁移失败
- 作者：Alexander Fabriclus;Volkmar Bretermitz;Christian Knedlik;Andreas Henning;Eckhard Liebscher;Slvia Vogel
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
20.Local channel temperature measurements on pseudomorphic high electron mobility transistors by photoluminescence spectroscopy

机译：用光致发光光谱法测量伪形高电子迁移率晶体管的局部沟道温度
- 作者：J.F.Landesman;E.Martin;B.Depret;A.Fily;P.Braun
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
21.Microstructure evloutionof Al-1.5

机译：Al-1.5的微观组织
- 作者：T.Lee;M.Schade;A.Merino;J.Lee;C.Christenson;C.Varker;K.Eans
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
22.Model for estimation of metallization lifetime including electromigration and thermo-mechanical stress relaxation

机译：估算金属化寿命的模型，包括电迁移和热机械应力松弛
- 作者：Herbert F.Roloff;Johannes Fellinger
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
23.Modelling of heat conduction and thermal stersses in multilevel interconnects

机译：多级互连中的热传导和热损失建模
- 作者：Y-L.Shen
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
24.A quantitative study of void nucleation times in passivated aluminum interconnects

机译：钝化铝互连中空隙成核时间的定量研究
- 作者：Jonathan C.Doan;John C.Bravman;Paul A.Flinn;Thomas N.Marieb
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
25.Novel electromigration failure mechanism for aluminlum-based metallization on titanium substrate

机译：钛基铝基金属化的新型电迁移失效机理
- 作者：G.Girardi;C.Caprile;F.Cazzaniga;L.Riva
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
26.Quantitative measure of EM-induced driff in sub-micron Al lines

机译：亚微米Al线中EM引起的水分的定量测量
- 作者：C.Witt;C.A.Volkert
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
27.Segregation of Cu on etched and non-etched Al(Cu) surface

机译：铜在腐蚀和未腐蚀的Al（Cu）表面上的偏析
- 作者：Hua Li;Karen Maex;Bert Brijs
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
28.Statistical evaluation of stressmigration reliability in Al-Cu interconnects

机译：Al-Cu互连中应力迁移可靠性的统计评估
- 作者：D.Jawarant;M.Gall;C.Capasso;J.Muller;R.Hernandez;H.Kawasaki
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
29.Texture and grain boundary structure dependence of hillock formation in thin metal films

机译：金属薄膜中小丘形成的纹理和晶界结构依赖性
- 作者：Mathew M.Nowell;David P.Field
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
30.The effects of microstructures on normal and early failures of interconnects caused by electromigration

机译：微观结构对电迁移引起互连线正常和早期失效的影响
- 作者：Yongkun Li;R.J.Diefendorf
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
31.The effects of passivation thickness and initial aluminum line stress on electromigration behavior

机译：钝化厚度和初始铝线应力对电迁移行为的影响
- 作者：Samantha Lee;John C.Bravman;Paul A.Flinn;Tom N.Marieb
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
32.The electromigration of CVD-copper and PVD-copper polycrystalline lines

机译：CVD铜和PVD铜多晶线的电迁移
- 作者：Seok Kim;Doo-Jin Choi
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
33.The reliability assessment of flip chip type solder joints based on the damage integral approach

机译：基于损伤积分法的倒装芯片式焊点可靠性评估
- 作者：Feng Su;Chen Zhou;Sven Rzepka;Matt Korhonen;Che-Yu Li
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
34.The stress change in passivated Al lines due to the reaction between Ti and Al

机译：Ti和Al之间的反应导致钝化Al线的应力变化
- 作者：T.Marieb;A.Mack;J.Lee;M.DiBattista
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
35.Evaluation of the electromigration performance of new aluminium Via plug-fill techniques for 0.25#mu#m and 0.18#mu#m technologies

机译：评估0.25＃mu＃m和0.18＃mu＃m新铝导通塞填充技术的电迁移性能
- 作者：S.Foley;N.Chan Tung;C.Gounelle;G.Wyborn;S.Louwers;A.Mathewson
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
36.Grain growth by DIGM in Ni thin film under high tensile stress

机译：高拉伸应力下Ni薄膜中DIGM对晶粒的生长
- 作者：Zhengyi Jia;G.Z.Pan;K.N.Tu
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
37.Measuring local strain variations full-field in photoresist thin films using photolithographic dot arrays

机译：使用光刻点阵列测量光刻胶薄膜中的局部应变全场
- 作者：P.P.Lin;R.E.Rowlands
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
38.On the interaction between indentationcracks on metallized silicon

机译：关于金属化硅上压痕裂纹之间的相互作用
- 作者：M.Manoharan;G.Muralidharan
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
39.TEM observations on the evolutionof grain structure in pressurized Al-0.5Cu thin films

机译：加压Al-0.5Cu薄膜晶粒结构演变的TEM观察
- 作者：H.D.Yang;C-U.Kim;M.Saran;H.A.Le
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
40.Cracking and debonding in integrated microstructures

机译：集成微结构中的裂纹和剥离
- 作者：X.H.Liu;Z.Suo;Q.Ma;H.Fujimoto
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
41.Deformation mechanisms in thin Cu films

机译：铜薄膜中的变形机制
- 作者：Shefford P.Baker;Rose-Marie Keller;Andre Kretschmenn;Eduard Arzt
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
42.Determination of the effects of strain on electrical resistivity in patterned interconnects

机译：确定应变对图案化互连中电阻率的影响
- 作者：John E.Sanchez;Christopher J.Reilly
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
43.Early detection of the metallization quality using moderately accelerated electromigration stress conditions

机译：使用适度加速的电迁移应力条件早期检测金属化质量
- 作者：A.Scorxoni;I.De Munari;M.Impronta;R.Balboni;R.Balboni;N.Kelaidis;S.Foley;M.Forde
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
44.FEM analysis of thermal stresses in advanced electronic packages

机译：先进电子封装中热应力的有限元分析
- 作者：Sven Rzepka;Matt A.Korhonen;Che-Yu Li
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
45.Modelling electromigration and stress migration damage in advanced interconnect structures

机译：模拟高级互连结构中的电迁移和应力迁移破坏
- 作者：Dirk Brown
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
46.Modelling of failure time distributions for interconnects due to stress voiding and electromigration

机译：由于应力排空和电迁移而导致的互连故障时间分布建模
- 作者：W.G.Wolfer;M.C.Bartelt;J.J.Dike;J.J.Hoyt;R.J.Gleixner;W.D.Nix
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
47.Stress-and electromigration - induced voiding and its correlation to macroscopic stress changes

机译：应力和电迁移引起的空洞及其与宏观应力变化的关系
- 作者：Herbert Schroeder
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年
48.Thermomechanical behavior of continuous and patterned Al thin films

机译：连续和图案化的Al薄膜的热力学行为
- 作者：O.Kraft;W.D.Nix
- 会议名称：《Symposium on materials reliability in microelectronics》 | 1998年