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Electrostatic discharge protection device and method for protecting semiconductor components in the case of electrostatic discharge events

机译:静电放电保护装置和在发生静电放电事件时保护半导体元件的方法

摘要

A process for the protection of an input of a semiconductor structure, in the case of an electrostatic discharge event, wherein said method comprises the steps of:Providing a first diode (130) and a second diode (122) having an input are connected in series;Biasing of the first diode and the second diode in the direction of flow; andShort-circuiting of the first or the second diode during the occurrence of an electrostatic discharge event.
机译:在发生静电放电事件的情况下,用于保护半导体结构的输入的方法,其中,所述方法包括以下步骤:提供具有输入的第一二极管(130)和第二二极管(122)连接在其中。第一二极管和第二二极管在流动方向上的偏置;在发生静电放电事件期间,第一二极管或第二二极管短路。

著录项

  • 公开/公告号DE112007002466T5

    专利类型

  • 公开/公告日2009-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20071102466T

  • 发明设计人

    申请日2007-09-24

  • 分类号H01L27/02;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:09:24

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