要解决的问题:为了缩短时间并降低形成盖层所需的成本,从而提供一种用于制造氧化物超导体的基板的方法,该方法可以以足够的生产率制造氧化物超导体。制造氧化物超导体的方法,以及提供一种形成用于每种制造方法的氧化物超导体的盖层的装置。
解决方案:在用于氧化物超导体的基板的制造方法中,使用金属靶材14a,15a的反应性DC溅射法用作在IBAD基板7上形成覆盖层的方法。例如,是CeO 版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2010123516A
专利类型
公开/公告日2010-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJIKURA LTD;
申请/专利号JP20080298440
发明设计人 KAKIMOTO KAZUTOMI;
申请日2008-11-21
分类号H01B12/06;H01B13;C01G1;C01G25;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:03:58