解决方案:光接收层3具有III-V族半导体的多量子阱结构,通过在光接收层中选择性地扩散杂质元素形成pn结15,光接收层中的杂质浓度为510 版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2010074099A
专利类型
公开/公告日2010-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO ELECTRIC IND LTD;
申请/专利号JP20080243181
申请日2008-09-22
分类号H01L31/0264;G01N21/35;G01J1/02;H01L27/146;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:02:29