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The flash memory rewriting circuit, manner null for IC curd LSI, IC curd and flash memory

机译:闪存重写电路,对于IC Curd LSI,IC Curd和闪存的方式为空

摘要

A memory IC card including a card substrate, a semiconductor device mounted on the card substrate, which includes an CPU, a flash memory, a memory block and a flash memory rewrite circuit having a rewrite data control circuit that receives a rewrite instruction of the flash memory from the CPU to store data for a designated byte of a page for rewriting to the memory block, a page data control circuit that sends data of the page excepting the designated byte in the flash memory to the memory block to prepare new page data in the memory block and a data set control circuit that writes the new page data prepared in the memory block to the flash memory; outer terminals mounted on the card substrate ; wirings provided on the card substrate to connect the outer terminals.
机译:一种存储器IC卡,包括卡基板,安装在卡基板上的半导体装置,该半导体装置包括CPU,闪存,存储器块和具有用于接收闪存的重写指令的重写数据控制电路的闪存重写电路。页数据控制电路将来自CPU的用于存储页面的指定字节的数据存储到内存块中,页面数据控制电路将除闪存中指定字节之外的页面数据发送到存储块,以准备新的页面数据所述存储块和数据集控制电路,所述数据集控制电路将在所述存储块中准备的新页面数据写入所述闪存。安装在卡基板上的外部端子;卡基板上提供的用于连接外部端子的布线。

著录项

  • 公开/公告号JP4564215B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社東芝;

    申请/专利号JP20010294204

  • 发明设计人 森 修三;

    申请日2001-09-26

  • 分类号G06F12/04;B42D15/10;G06F12/00;G06F12/16;G06K19/07;G11C16/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:02:00

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