首页> 外国专利> Infrared detector elements and methods of forming same

Infrared detector elements and methods of forming same

机译:红外探测器元件及其形成方法

摘要

Infrared detector elements and methods for forming infrared detector elements in which the top metal layer of CMOS circuitry of the detector element is employed as a lead metal reflector for the infrared detector.
机译:红外探测器元件和用于形成红外探测器元件的方法,其中采用探测器元件CMOS电路的顶层金属层作为红外探测器的铅金属反射器。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号