退出
我的积分：
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译：薄膜的制造方法，包括通过半氧化法使柯氏变色的步骤及相关装置
公开/公告号AT484847T
专利类型
公开/公告日2010-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES;
申请/专利号AT20030784416T
发明设计人 GHYSELEN BRUNO;AULNETTE CECILE;OSTERNAUD BENEDITE;
申请日2003-08-11
分类号H01L21/66;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 18:43:25
机译： 薄膜的制造方法，包括通过半氧化法使柯氏变色的步骤及相关装置
机译： 薄膜厚度测量装置，包括该薄膜厚度测量系统的系统以及薄膜厚度测量方法
机译： 模型的方式，膜厚的测量方法和图案的图案的状态决定方式，在形成图案的内部的基板上的薄膜的膜厚或图案的制造方式为空。
