机译:通过化学反应和扩散制造复合半导体和复合绝缘子的方法,使用该方法制造的复合半导体和复合绝缘子,以及使用光电池,电子电路,晶体管和存储器的方法
公开/公告号EP1488451A4
专利类型
公开/公告日2009-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY;
申请/专利号EP20030713052
申请日2003-03-28
分类号C01B33/00;H01L21/36;H01L21/26;H01L21/268;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L23/525;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/26;H01L29/788;H01L29/792;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 18:40:46