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How to improve the clear field phase reversal mask by adding lines parallel to the phase 0 region

机译:如何通过添加与相位0区域平行的线来改善明场相位反转掩模

摘要

A technique in which a boundary region is added to the outside parallel edge of phase zero (0) pattern defining polygons. This technique can reduce the need for optical proximity correction (OPC) and improve the manufacturability and patterning process window for integrated circuits. The technique can also set the width of both phase 0 and phase 180 polygons to specific sizes, making OPC easier to assign.
机译:一种将边界区域添加到定义多边形的相位零(0)模式的外部平行边缘的技术。该技术可以减少对光学邻近校正(OPC)的需求,并改善集成电路的可制造性和构图工艺窗口。该技术还可以将0相和180相多边形的宽度都设置为特定大小,从而使OPC易于分配。

著录项

  • 公开/公告号KR100931707B1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20047009143

  • 申请日2002-12-09

  • 分类号G03F1;G03F1/14;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:42

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