首页> 外国专利> CIRCUIT FOR CONTROLLING DATA OUTPUT TIMING OF A SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS FOR SELECTIVELY INPUTTING INPUT DATA OR A DELAY SIGNAL

CIRCUIT FOR CONTROLLING DATA OUTPUT TIMING OF A SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS FOR SELECTIVELY INPUTTING INPUT DATA OR A DELAY SIGNAL

机译:用于有选择地输入输入数据或延迟信号的半导体存储器的数据输出时序控制电路

摘要

PURPOSE: A circuit for controlling data output timing of a semiconductor memory apparatus is provided to reduce the number of switching unit by comprising a data output stage which is selectively inputted with input data or a delay signal.;CONSTITUTION: A first unit delay chain(100) delays input data and outputs the input data as a delay signal. A controller(200) generates a selection control signal and a control signal in response to a plurality of cas latency information signals. A data output stage(300) is selectively inputted with the input data or the delay signal in response to the selection control signal. The data output stage delays a signal inputted for the delay time according to the control signal, and outputs the signal as the output data. A first unit delay chain is serially connected to a plurality of unit delays.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种控制半导体存储设备数据输出时序的电路,以通过包括一个数据输出级来减少开关单元的数量,该数据输出级选择性地输入输入数据或延迟信号。 100)延迟输入数据,并将输入数据作为延迟信号输出。控制器(200)响应于多个cas等待时间信息信号而产生选择控制信号和控制信号。响应于选择控制信号,用输入数据或延迟信号选择性地输入数据输出级(300)。数据输出级根据控制信号延迟在延迟时间内输入的信号,并输出该信号作为输出数据。第一单元延迟链串行连接到多个单元延迟。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100020144A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20080078809

  • 发明设计人 SHIN SANG HOON;

    申请日2008-08-12

  • 分类号G11C7/10;G11C8/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:17

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号