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PROBE POLISHING METHOD, A PROGRAM THEREFOR, AND A PROBE APPARATUS, CAPABLE OF IMPLEMENTING AN ELECTRIC PROPERTY TEST OF AN OBJECT TO BE TESTED

机译:能够进行待测试对象的电气性能测试的探针抛光方法,其程序和探针设备

摘要

PURPOSE: A probe polishing method, a program thereof, and probe apparatus are provided to detect abnormal material on upper face of a wafer and to eliminate foreign material authentically from a grinding wafer.;CONSTITUTION: A first accepting unit(20) accepts a grinding wafer. An image capturing unit(19A) photographs the upper side of the grinding wafer loaded on a mounting unit. A second accepting unit(21) accepts the grinding wafer detecting the foreign material with a imaging device.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种探针抛光方法,其程序和探针装置,以检测晶片上表面上的异常材料并从研磨的晶片中真正地消除异物。组成:第一接受单元(20)接受研磨硅片。图像捕获单元(19A)拍摄装载在安装单元上的研磨晶片的上侧。第二接受单元(21)利用成像装置接受检测异物的研磨晶片。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100024357A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO ELECTRON LIMITED;

    申请/专利号KR20090077701

  • 发明设计人 TANAKA HIDEAKI;SANO SATOSHI;

    申请日2009-08-21

  • 分类号G01R1/067;H01L21/66;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:12

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