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DATA INPUT CIRCUIT PERFORMING A DATA INVERSION OPERATION AND A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

机译:数据输入电路,用于执行数据反转操作以及包括该数据输入电路的半导体存储器

摘要

PURPOSE: A data input circuit and a semiconductor memory device including the same are provided to reduce the number of circuits for a data inversion by including circuits for a data inversion as much as the number of global lines.;CONSTITUTION: A plurality of data input circuits(851 to 858) reflects inversion information to input data. A plurality of global lines(GI000:7 to GI070:7) transfers the output data of the data input circuits. A plurality of memory banks(810 to 840) stores data transferred from the global lines. An inversion buffer unit buffers the inversion information which is input as an inversion pin. An inversion arrangement unit parallel arranges the inversion information and transfers the information to an inversion unit.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:用途:提供一种数据输入电路和包括该数据输入电路的半导体存储器件,以通过包括用于数据反相的电路的数量与全局线的数量一样多,以减少用于数据反相的电路的数量;组成:多个数据输入电路(851至858)将反转信息反映为输入数据。多个全局线(GI00 <0:7>至GI07 <0:7>)传输数据输入电路的输出数据。多个存储体(810至840)存储从全局线传输的数据。反相缓冲器单元缓冲作为反相引脚输入的反相信息。反转排列单元并行排列反转信息,并将该信息传输到反转单元。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100026469A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20080085487

  • 发明设计人 PARK KI CHEON;

    申请日2008-08-29

  • 分类号G11C7/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:08

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