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CONTROLLING PASSIVATING FILM PROPERTIES USING COLLOIDAL PARTICLES POLYELECTROLYTES, AND IONIC ADDITIVES FOR COPPER CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION

机译:使用胶体微粒聚合物和离子助剂控制铜化学机械平面化的钝化膜性能

摘要

The present invention provides for a copper CMP slurry composition which comprises a complexing agent, an oxidizer, an abrasive and a passivating agent. The present invention also provides for a method of chemical mechanical planarization of a copper conductive structure which comprises administering the copper CMP slurry composition during the planarization process.;COPYRIGHT KIPO & WIPO 2010
机译:本发明提供了一种铜CMP浆料组合物,其包含络合剂,氧化剂,磨料和钝化剂。本发明还提供了一种对铜导电结构进行化学机械平坦化的方法,其包括在平坦化过程中施用铜CMP浆料组合物。COPYRIGHTKIPO&WIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100037107A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BASF SE;

    申请/专利号KR20107001045

  • 发明设计人 LI YUZHUO;

    申请日2008-06-13

  • 分类号C09C1/68;C09K3/14;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:01

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