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Pollution prevention equipment, pollution prevention method, exposure apparatus, and method of manufacturing a patterned wafer

机译:防污染设备,防污染方法,曝光设备和图案化晶片的制造方法

摘要

The present invention conveniently pollution control devices that can prevent the contamination of the EUV mask, pollution prevention method, and an exposure apparatus, and to provide a method of manufacturing a patterned wafer using the same. A pollution control device according to one aspect of the invention, a light source for generating the following vacuum ultraviolet light wavelengths 166nm, EUV mask 108 with a beam of vacuum ultraviolet light from a light source housed in the EUV exposure apparatus 101 an optical system (mirrors 104a, 104b, etc.) to be irradiated with it is that a. As the light source, it can be used and a laser oscillator 110 for emitting a molecular fluorine laser, argon dimer, a VUV-ASE generator 210 for emitting spontaneous emission amplified light from krypton dimer or molecular fluorine. [Selection Figure] Figure 2
机译:本发明方便地防止污染的装置能够防止EUV掩模的污染,防止污染的方法和曝光设备,并提供一种使用其制造图案化晶片的方法。根据本发明的一个方面的污染控制装置,用于产生以下真空紫外波长为166nm的光源,具有来自容纳在EUV曝光设备101中的光源的真空紫外束的EUV掩模108,光学系统(镜面104a,104b等被照射。作为光源,可以使用用于发射分子氟激光的激光振荡器110,氩二聚体,用于发射来自dim二聚体或分子氟的自发发射放大光的VUV-ASE发生器210。 [选型图]图2

著录项

  • 公开/公告号JP4761589B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 レーザーテック株式会社;

    申请/专利号JP20100286031

  • 发明设计人 武久 究;

    申请日2010-12-22

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;G03F1/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:19:30

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