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Processing method of a semiconductor surface using the same and semiconductor surface for treatment composition

机译:使用该表面的半导体表面的处理方法以及用于处理组合物的半导体表面

摘要

Processing method of a semiconductor surface using the same and a semiconductor surface for a treatment composition can be easily removed at a low temperature in a short time, an anti-reflection coating layer in the manufacturing process of semiconductor devices or the like, further, anti-reflection coating layer The processing method of a semiconductor surface using the same and a semiconductor surface for treatment composition and not only enables the separation of the two layers of the resist layer, also allows separation of the cured resist layer produced during the etching process The object of the present invention is to provide, contains a compound generating a fluoride ion in water, and water and a carbon radical generating agent, if desired, the present invention is a semiconductor surface for treatment, characterized in that it contains an organic solvent further The invention relates to a method of treating a semiconductor surface, which comprises using the composition and composition.
机译:使用该表面的半导体表面的处理方法和用于处理组合物的半导体表面的处理方法可以在短时间内在低温下容易地在低温下去除,在半导体器件等的制造过程中可以去除抗反射涂层。 -反射涂层使用该半导体表面和用于处理组合物的半导体表面的处理方法,不仅能够分离抗蚀剂层的两层,而且还可以分离在蚀刻过程中产生的固化的抗蚀剂层。本发明的目的是提供一种含有在水中产生氟离子的化合物,以及水和碳自由基产生剂,如果需要的话,本发明是用于处理的半导体表面,其特征在于,其还包含有机溶剂。本发明涉及一种处理半导体表面的方法,该方法包括使用该组合物和对位。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2009110582A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 和光純薬工業株式会社;

    申请/专利号JP20100501971

  • 发明设计人 松田 修;水田 浩徳;

    申请日2009-03-06

  • 分类号H01L21/304;H01L21/027;G03F7/42;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:17:40

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