首页> 外国专利> BIPOLAR TRANSISTOR FINFET TECHNOLOGY

BIPOLAR TRANSISTOR FINFET TECHNOLOGY

机译:双极晶体管FINFET技术

摘要

This document discusses, among other things, apparatus having at least one CMOS transistor overlying a substrate; and at least one finned bipolar transistor overlying the substrate and methods for making the apparatus.
机译:除其他事项外,该文献讨论了具有至少一个覆盖衬底的CMOS晶体管的设备;至少一个鳍状双极晶体管覆盖在衬底上,以及制造该设备的方法。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号