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Coplanar solar cell metal contact annealing in plasma enhanced chemical vapor deposition

机译:等离子增强化学气相沉积中共面太阳能电池金属接触退火

摘要

A solar cell fabrication process is described that includes etching a cap layer into a front surface of a semiconductor structure, depositing an anti-reflective coating onto the front surface of the semiconductor structure, forming a front electrical contact on the front surface of the semiconductor structure, forming a first back metal contact on a back surface of the semiconductor structure, utilizing a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process to apply a dielectric layer to the first back metal contact, the PECVD process performed at within a temperature environment and for a duration that allows for the annealing of metal associated with the front electrical contact and the first back metal contact, and attaching at least one secondary electrical contact to the dielectric layer.
机译:描述了一种太阳能电池制造工艺,该工艺包括将覆盖层蚀刻到半导体结构的前表面中,在半导体结构的前表面上沉积抗反射涂层,在半导体结构的前表面上形成前电接触。 ,在半导体结构的背面上形成第一背面金属接触,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将介电层施加到第一背面金属接触,该PECVD工艺在温度环境内进行,并且一个持续时间,该持续时间允许退火与前电触点和第一后金属触点相关的金属,并将至少一个第二电触点连接到介电层。

著录项

  • 公开/公告号US8030206B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 XIAOBO ZHANG;JULIE HOSKIN;

    申请/专利号US20080199382

  • 发明设计人 JULIE HOSKIN;XIAOBO ZHANG;

    申请日2008-08-27

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:09:15

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