首页> 外国专利> Method and apparatus for wafer level burn-in

Method and apparatus for wafer level burn-in

机译:晶片级预烧的方法和设备

摘要

A temperature regulation plate 106 is divided into at least two areas, a heater 408 for applying a temperature load in correspondence with such areas and its control system are divided and controlled independently to set temperatures, and a cooling source is controlled by comparing the measurements from temperature sensors 409 arranged in respective areas for controlling the heater 408 and switching the measurement for calculating the control output sequentially thus reducing variation in in-plane temperature of a wafer due to heating when an electric load is applied. Since consumption and burning of a probe are prevented, highly reliable wafer level burn-in method and apparatus can be provided.
机译:将温度调节板 106 划分为至少两个区域,与该区域相对应的用于施加温度负荷的加热器 408 及其控制系统被独立地控制为通过比较设置在各个区域中以控制加热器 408 的温度传感器 409 的测量值并依次切换测量值以计算控制输出,来控制冷却源因此,当施加电负载时,由于加热导致的晶片的面内温度变化减小。由于防止了探针的消耗和燃烧,因此可以提供高度可靠的晶片级老化方法和设备。

著录项

  • 公开/公告号US7940064B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TERUTSUGU SEGAWA;MINORU SANADA;

    申请/专利号US20060063276

  • 发明设计人 TERUTSUGU SEGAWA;MINORU SANADA;

    申请日2006-05-29

  • 分类号G01R31/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:08:02

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号