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MIXED TECHNOLOGY MEMS/SIGE BICMOS DIGITIZING ANALOG FRONT END WITH DIRECT RF SAMPLING

机译:具有直接RF采样功能的MEMS / SIGE BICMOS混合技术模拟前端

摘要

A digitizing analog front end (DAFE) (50) using mixed technology on a singlesubstrate is described. SiGe BiCMOS technology is implemented for thesemiconductor components, which include a low noise amplifier (64) and ananalog-to-digital converter (68). Micro Electro Mechanical System (MEMS)switches are used to change the filtering characteristics of several filters,including an anti-aliasing filter (66) and a pre-select and anti-jammingfilter (62).
机译:在单个设备上使用混合技术的数字化模拟前端(DAFE)(50)描述了基材。 SiGe BiCMOS技术用于半导体组件,包括一个低噪声放大器(64)和一个模数转换器(68)。微机电系统(MEMS)开关用于更改多个过滤器的过滤特性,包括抗混叠滤波器(66)和预选和抗干扰过滤器(62)。

著录项

  • 公开/公告号CA2500533C

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAYTHEON COMPANY;

    申请/专利号CA20042500533

  • 申请日2004-01-26

  • 分类号H04B1/10;H01H59/00;H01H1/00;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-21 18:02:20

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