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OVERLAY VERNIER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, CAPABLE OF PREVENTING READING ERRORS BY IMPROVING THE ACCURACY OF OVERLAY

机译:半导体器件的覆盖层误差,可以通过提高覆盖层的准确性来防止读取错误

摘要

PURPOSE: An overlay vernier of a semiconductor device is provided to improve yield of a semiconductor device by accurately measuring the overlay by using the signal of uppermost etch part and the signal of a vernier.;CONSTITUTION: A main vernier(200) of stepped shape is provided. A sub vernier(204) is formed on the oxide film. The sub vernier is formed to expose only the top etch of main vernier to outside. The end of the sub vernier covers the second stairs of the main vernier.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种半导体器件的覆盖游标,以通过使用最上面的蚀刻部分的信号和游标的信号来精确地测量覆盖,从而提高半导体器件的成品率;组成:阶梯状主游标(200)提供。在氧化膜上形成副游标(204)。副游标被形成为仅将主游标的顶部蚀刻暴露于外部。副游标的末端覆盖了主游标的第二个台阶。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110012505A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-02-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090070247

  • 发明设计人 MA WON KWANG;

    申请日2009-07-30

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:52:39

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