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P-TYPE SEMICONDUCTOR COMPOSITION WITH HIGH TRANSMITTANCE, MOBILITY AND CONDUCTIVITY, A SOLAR CELL USING THE SAME AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SOLAR CELL

机译:具有高透射率,迁移率和电导率的p型半导体组成,使用该p型半导体组成的太阳能电池及其制造方法

摘要

PURPOSE: A P-type semiconductor composition is provided to improve transmittance, conductivity, and linearity of a solar cell, and to lower surface resistance.;CONSTITUTION: A P-type semiconductor composition comprises ABO2, AB2O2, or AB2O4 compounds configured by CuO, Cu2O, Ag2O, SrO, B2O3, Al2O3, Ga2O3, In2O3, Ti2O3, Mn2O3, Y2O3, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Sb2O3, Sc2O3, Nd2O3, and Bi2O3, wherein A and B are metallic components. A transparent thin film transistor comprises a substrate(110), a semiconductor layer(130) formed on the substrate, a transparent N type oxide layer(150) formed on the semiconductor layer, and an N type electrode layer(160) formed on the transparent N type oxide layer.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种P型半导体组合物,以提高太阳能电池的透射率,电导率和线性度,并降低表面电阻。;组成:一种P型半导体组合物,包括ABO2,AB2O2或由CuO构成的AB2O4化合物, Cu 2 O,Ag 2 O,SrO,B 2 O 3,Al 2 O 3,Ga 2 O 3,In 2 O 3,Ti 2 O 3,Mn 2 O 3,Y 2 O 3,La 2 O 3,Fe 2 O 3,Cr 2 O 3,Sb 2 O 3,Sc 2 O 3,Nd 2 O 3和Bi 2 O 3,其中A和B是金属成分。透明薄膜晶体管包括基板(110),形成在基板上的半导体层(130),形成在半导体层上的透明N型氧化物层(150)以及形成在基板上的N型电极层(160)。透明的N型氧化物层。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110038968A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG INNOTEK CO. LTD.;

    申请/专利号KR20090096193

  • 申请日2009-10-09

  • 分类号H01B1/02;H01L31/0264;H01L31/042;H01L33/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:52:08

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