首页> 外国专利> METHOD FOR FABRICATING A PHASE INVERSION MASK, CAPABLE OF EASILY CONTROLLING THE CRITICAL DIMENSION OF A PHASE INVERSION FILM

METHOD FOR FABRICATING A PHASE INVERSION MASK, CAPABLE OF EASILY CONTROLLING THE CRITICAL DIMENSION OF A PHASE INVERSION FILM

机译:能够容易地控制相位反转膜的临界尺寸的相位反转掩模的制造方法

摘要

PURPOSE: A method for fabricating a phase inversion mask is provided to secure the reproduction of the CRITICAL DIMENSION of a phase inversion film by processing surface treatment through plasma before etching the phase inversion film.;CONSTITUTION: In a method for fabricating a phase inversion mask, A phase inversion layer(210) and light shield layer are successively formed on a mask substrate(200). A first resist pattern limiting a circuit pattern on a light shield layer is formed. The mask substrate having the first resist pattern is surface-treated through plasma including oxygen and chlorine The light shield layer is etched using the first resist pattern as a mask to form a light shielding pattern(220a). A capping layer(240) is formed in the surface of the light shielding pattern.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种制造相位反转掩模的方法,以通过在蚀刻该相位反转膜之前通过等离子体进行表面处理来确保相位反转膜的关键尺寸的再现。;组成:一种制造相位反转掩模的方法之后,在掩模基板(200)上依次形成反相层(210)和遮光层。在光屏蔽层上形成限制电路图案的第一抗蚀剂图案。通过包括氧气和氯气的等离子体对具有第一抗蚀剂图案的掩模基板进行表面处理。使用第一抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻遮光层以形成遮光图案(220a)。在遮光图案的表面上形成覆盖层(240)。COPYRIGHTKIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110050093A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090106936

  • 发明设计人 JUN JAE YOUNG;

    申请日2009-11-06

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:51:59

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号