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Method for homogenizing reflectance losses of photodiodes in semiconductor device e.g. integrated circuit, involves providing transparent insulator layer over cathode surface of photodiodes

机译:均匀化半导体器件中光电二极管的反射损失的方法集成电路,涉及在光电二极管的阴极表面上提供透明绝缘体层

摘要

The method involves providing transparent insulator layer or transparent insulator layer stacks (10,11) with periodical layer thickness of 150 Nm. The transparent insulator layer is provided over cathode surface of photodiodes. An independent claim is included for semiconductor device.
机译:该方法涉及提供周期性层厚度为150Nm的透明绝缘体层或透明绝缘体层堆叠(10,11)。透明绝缘体层设置在光电二极管的阴极表面上。半导体器件包括独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE102010010016A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG;

    申请/专利号DE20101010016

  • 发明设计人 BACH KONRAD;

    申请日2010-03-03

  • 分类号H01L27/146;H01L31/0216;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 17:47:21

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