首页> 外国专利> WAFER EVALUATION METHOD AND SUSCEPTOR EVALUATION METHOD

WAFER EVALUATION METHOD AND SUSCEPTOR EVALUATION METHOD

机译:晶圆评估方法和感受器评估方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer evaluation method capable of evaluating scratches, crystal defects or particles and the like on a wafer surface in a simple, accurate and short-term manner.SOLUTION: A wafer evaluation method for evaluating surface defects of a wafer, comprises: obtaining a secondary electron image of the surface defects by an electron microscope; then clarifying an outline of the secondary electron image by binarization; then drawing a quadrangle circumscribing to the outline of the clarified and binarized secondary electron image; then calculating an areal ratio of the area of a portion of the surface defects to the area of the quadrangle or the area of a portion rather than the portion of the surface defects of the quadrangle, in the clarified and binarized secondary electron image; and then classifying types of the defects based on the areal ratio.
机译:解决的问题:提供一种晶片评估方法,其能够以简单,准确和短期的方式评估晶片表面上的划痕,晶体缺陷或颗粒等。解决方案:一种评估晶片表面缺陷的晶片评估方法晶片,包括:通过电子显微镜获得表面缺陷的二次电子图像;以及然后通过二值化澄清二次电子图像的轮廓;然后画出一个四边形,外接于已澄清和二值化的二次电子图像的轮廓;然后在澄清和二值化的二次电子图像中计算表面缺陷的一部分的面积与四边形的面积的面积比或四边形的一部分而不是四边形的部分表面面积的面积比;然后根据面积比对缺陷类型进行分类。

著录项

  • 公开/公告号JP2012099563A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD;

    申请/专利号JP20100244137

  • 发明设计人 SATO HIDEKI;

    申请日2010-10-29

  • 分类号H01L21/66;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:42:56

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号