机译:自对准形成浮栅存储单元的半导体存储阵列的方法,该阵列,具有非易失性存储单元的阵列的半导体器件,以及形成列线和行线以及多个连接到多个存储单元的方法半导体元件
公开/公告号JP5054864B2
专利类型
公开/公告日2012-10-24
原文格式PDF
申请/专利权人 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド;
申请/专利号JP20000289143
发明设计人 デイナ リー;
申请日2000-09-22
分类号H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/792;H01L29/788;H01L21/336;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 17:41:18