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Systems and methods for memory structure comprising a PPROM and an embedded flash memory

机译:用于包括PPROM和嵌入式闪存的存储器结构的系统和方法

摘要

A memory structure that combines embedded flash memory and PPROM. The PPROM can be used as a memory structure. The flash memory can be used, e.g., as air replacement cells or back up memory, or additional memory cells. The PPROM cells are stacked on top of the flash memory cells and the PPROM density can be increased by implementing three-dimensional PPROM structures.
机译:结合嵌入式闪存和PPROM的存储器结构。 PPROM可用作存储结构。闪存可以用作例如空气替换单元或备份存储器,或附加的存储器单元。 PPROM单元堆叠在闪存单元的顶部,并且可以通过实现三维PPROM结构来提高PPROM密度。

著录项

  • 公开/公告号US8263464B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHAO I WU;

    申请/专利号US20100791508

  • 发明设计人 CHAO I WU;

    申请日2010-06-01

  • 分类号H01L21/336;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:32:18

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