首页> 外国专利> Memristive Negative Differential Resistance Device

Memristive Negative Differential Resistance Device

机译:忆阻负差分电阻器

摘要

A memristive Negative Differential Resistance (NDR) device includes a first electrode adjacent to a memristive matrix, the memristive matrix including an intrinsic semiconducting region and a highly doped secondary region, a Metal-Insulator-Transition (MIT) material in series with the memristive matrix, and a second electrode adjacent to the MIT material.
机译:忆阻负差分电阻(NDR)器件包括与忆阻矩阵相邻的第一电极,该忆阻矩阵包括本征半导体区域和高掺杂次级区域,与忆阻矩阵串联的金属绝缘体转变(MIT)材料以及与所述MIT材料相邻的第二电极。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号