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Terahertz radiation device using polar semiconductor materials and method of generating terahertz radiation

机译:使用极性半导体材料的太赫兹辐射装置和产生太赫兹辐射的方法

摘要

A method and device for generating terahertz radiation comprising a plurality of layers of polar crystal material operative to emit terahertz radiation; the plurality of layers comprising transport layers and divider layers, the plane of the layers being not parallel to the polar axis, the interface between the transport layers and divider layers forming boundaries at which the internal electric polarization terminates leading to charges accumulating at the boundaries, and creation of internal electric fields oriented along the polar axis.
机译:一种产生太赫兹辐射的方法和装置,包括多层可发射太赫兹辐射的极性晶体材料。所述多个层包括传输层和分隔层,所述层的平面不平行于极轴,所述传输层和分隔层之间的界面形成边界,内部极化终止​​于该边界,导致电荷累积在边界处;并产生沿极轴定向的内部电场。

著录项

  • 公开/公告号US8203127B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICHAEL WRABACK;PAUL H SHEN;

    申请/专利号US201113079097

  • 发明设计人 PAUL H SHEN;MICHAEL WRABACK;

    申请日2011-04-04

  • 分类号H01L33/04;H01L33/28;H01L33/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:29:39

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