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Comparator for technologies with transient variations of transistor parameters

机译:晶体管参数瞬态变化的技术比较器

摘要

This disclosure relates to permuting transistors to compensate for offsets generated by transient variations of the transistors' parameters.
机译:本公开涉及置换晶体管以补偿由晶体管参数的瞬态变化产生的偏移。

著录项

  • 公开/公告号US8228094B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FRANZ KUTTNER;

    申请/专利号US20090538946

  • 发明设计人 FRANZ KUTTNER;

    申请日2009-08-11

  • 分类号H03K5/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:29:19

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