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III-nitride light-emitting devices with reflective engineered growth templates and methods of manufacture

机译:具有反射工程生长模板的III族氮化物发光器件及其制造方法

摘要

A light emitter includes a first mirror that is an epitaxially grown metal mirror, a second mirror, and an active region that is epitaxially grown such that the active region is positioned at or close to, at least, one antinode between the first mirror and the second mirror.
机译:发光器包括:第一镜,其是外延生长的金属镜;第二镜;以及有源区,其被外延生长,使得该有源区位于或靠近第一镜和反射镜之间的至少一个波腹。第二面镜子。

著录项

  • 公开/公告号US8253157B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROBBIE J. JORGENSON;

    申请/专利号US201113075104

  • 发明设计人 ROBBIE J. JORGENSON;

    申请日2011-03-29

  • 分类号H01L29/20;H01L33/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:28:52

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